ახალი ჩიპი შეიმუშავა Columbia Engineering ელექტროტექნიკის კათედრის თანამშრომელმა, ჰარიშ კრიშნასვამიმ. მან მოახერხა ნანო-ზომის მილიმეტრული ტალღების გამაძლიერებლის შექმნა გავრცელებული CMOS-ტექნოლგიის გამოყენებით. სიმძლავრის გამაძლიერებელი გამოიყენება საკომუნიკაციო ტექნოლოგიასა და გადამწოდში – სიგნალის სიმძლავრის დონის ამაღლებისა და დიდ მანძილზე სანდო კავშირის უზრუნველყოფის მიზნით.
სიმძლავრის გამაძლიერებელი ელექტრონიკაში საყოველთაოდ გამოიყენება: ტელეფონითა და კომპიუტერით დაწყებული და თანამგზავრული კავშირის სუპერ-თანამედროვე სისტემით დამთავრებული. მაგრამ აქამდე ერთდროულად ზომის შემცირება და სიმძლავრის მომატება ვერ ხერხდებოდა: ნანო-ზომის მიკროსქემა ვერ აწარმოებს ენერგიის დიდ მოცულობას მაღალი სიხშირის პირობებში. ეს განპირობებულია ტრანზისტორის ზომის შემცირებით – ის დიდ ძაბვას ვეღარ უძლებს: მცირე ზომა ხელსაყრელია მაღალი სიჩქარის, მაგრამ არა დიდი სიმძლავრის უზრენველყოფისათვის. არადა პერსპექტიული მაღალგამტარიანი და შორსქმედი კავშირის სისტემები მოითხოვს როგორც სწრაფმოქმედებას, ისე დიდ სიმძლავრეს.
ნანო-ზომის მილიმეტრული CMOS-ტრანზისტორთა ბაზაზე მომუშავე ახალი გამაძლიერებელი იძლევა მაღალმწარმოებლური, შორსქმედებიანი უსადენო კომპიუტერული ქსელის შექმნის საშუალებას.
ჰარიშ კრიშნასვამიმ მოძებნა რამდენიმე ნანო-ზომის გულდასმით სინქრონიზებული CMOS-ტრანზისტორის გამოყენების ხერხი. ეს ტრანზისტორები შეძლებს დაახლოებით 18 ვტ სიმძლავრის გენერირებას მილიმეტრულ ტალღაზე, რაც 5-ჯერ აღემატება თანამედროვე გამაძლიერებლის სიმძლავრეს. ახალი გამაძლიერებელი მზადდება ნანო-ზომის CMOS-ჩიპების ერთმანზე ისე დალაგებით, რომ ეს ჩიპები დიდი ძაბვის პირობებში სწრაფმოქმედების დაკარგვის გარეშე მუშაობს. სიმძლავრის გამაძლიერებელში 45 ნანომეტრის ზომის ოთხი CMOS-ტრანზისტორის გამოყენებითა და რვა ასეთი გამაძლიერებლის ერთ ჩიპში გაერთიანებით შესაძლებელია 0,5 ვტ შემავალი სიმძლავრის მიღწევა 45 გიგაჰერცის სიხშირის პირობებში.
ახალი გამაძლიერებელი შეძლებს დიდ მანძილზე კავშირის საოცრად მაღალი, აქამდე წარმოუდგენელი გამტარობის უნარის უზრუნველყოფას. მაგალითად, ახალი ჩიპის ბაზაზე შეიძლება საერთო-საქალაქო Wi-Fi ქსელის შექმნა მონაცემების გადაცემის სიჩქარით 10 გიგაბიტამდე წამში.
ჩატარებული კვლევის დამფინანსებელთა შორის იყო აშშ-ს თავდაცვის სამეცნიერო სააგენტო DARPA, რომელიც დაინტერესებულია კავშირის დიდმწარმოებლური, შორსქმედებიანი მძლავრი სისტემის
Комментариев нет:
Отправить комментарий