ილინოისის შტატის უნივერსიტეტის ინჟინრებმა სცადეს გრაფენის ფურცელზე ნანო-სადენებისაგან შემდგარი ნახევრადგამტარიანი ნაერთის გაზრდა და აღმოაჩინეს, რომ ნანო-სადენი სრულიად მოულოდნელი ხერხით იზრდება. ელექტრონული მრეწველობისათვის ამ აღმოჩენას უაღრესად დიდი მნიშვნელობა აქვს – ის ეპიტაქსიის ტექნოლოგიის პარადიგმას ცვლის.
ნანო-სადენი ნახევრადგამტარიანი მასალის უწვრილესი ზოლია. ექსპერტთა ვარაუდით, მომავლის ელექტრონის საფუძველი სწორედ ნანო-სადენი იქნება; მას გამოიყენებენ ტრანზისტორების, მზის პანელების, ლაზერების და კიდევ ბევრი სხვა რამის დასამზადებლად.
ამერიკელმა მეცნიერებმა ნანო-სადენის შესაძლებლობებს სწავლობდნენ: ნანო-სადენებს ზრდიდნენ ვან-დერ-ვაალსის ეპიტაქსიის ტექნოლოგიით, ისეთი ნახევრადგამტარიანი მასალის ფუძეშრეზე, როგორიცაა კაჟი. კერძოდ, მეცნიერების მიზანი იყო ეგრეთ წოდებული „III-V (სამი-ხუთი) კლასის" სადენის გაზრდა. ეს ნახევრად გამტარი აუცილებელია ახალი თაობის მზის პანელისა და ლაზერის შესაქმნელად. ადრე მეცნიერებმა უკვე დააფიქსირეს III-V ნანო-სადენების ზრდა კაჟის ფუძეშრეზე.
ამერიკელმა მეცნიერებმა ნანო-სადენის შესაძლებლობებს სწავლობდნენ: ნანო-სადენებს ზრდიდნენ ვან-დერ-ვაალსის ეპიტაქსიის ტექნოლოგიით, ისეთი ნახევრადგამტარიანი მასალის ფუძეშრეზე, როგორიცაა კაჟი. კერძოდ, მეცნიერების მიზანი იყო ეგრეთ წოდებული „III-V (სამი-ხუთი) კლასის" სადენის გაზრდა. ეს ნახევრად გამტარი აუცილებელია ახალი თაობის მზის პანელისა და ლაზერის შესაქმნელად. ადრე მეცნიერებმა უკვე დააფიქსირეს III-V ნანო-სადენების ზრდა კაჟის ფუძეშრეზე.
აღმოჩნდა, რომ გრაფენზე შესაძლებელია წინასწარ განსაზღვრული მახასიათებლების მქონე კომპოზიტური ნანო-სადენის გაზრდა.
ახლახანს ილინოისის შტატის უნივერსიტეტის მკვლევარებმა სცადეს ინდიუმ არსენიდ გალიუმის (InGaAs) ნანო-სადენის გაზრდა გრაფენის ფურცელზე და მოულოდნელი შედეგი მიიღეს. InGaAs-ის ნანო-სადენი დამოუკიდებლად ჩამოყალიბდა უჩვეულო სტრუქტურად, რომლის გულგული ერთი მასალისაგან – ინდიუმის არსენიდი – შედგება, ხოლო გარე გარსი – სხვა მასალისაგან – InGaAs. ამასთანავე, შესაძლებელია ნანო-სადენის სტრუქტურის რეგულირება ინდიუმისა და გალიუმის თანაფარდობის შეცვლის გზით, რაც იძლევა ნანო-სადენის ოპტიკური და დენის გამტარი მახასიათებლების წინასწარ განსაზღვრის საშუალებას. უნდა ითქვას, რომ კომპონიტური ნანო-სადენის მსგავსი ტექნოლოგიის შემუშავებით მრავალი ლაბორატორია არის დაკავებული. მაგრამ აქამდე მიჩნეული იყო, რომ უწვრილესი სადენის შექმნა სხვა მასალის გარსით რთული პროცესია, რომელიც განსაკუთრებულ მიდგომას მოითხოვს. გრაფენის ფუძეშრეზე კომპონიტური ნანო-სადენის გაზრდა დიდი მიღწევაა. თავად გრაფენს კაჟთან შედარებით ბევრი უპირატესობა აქვს. ის მოქნილია და დენის კარგი გამტარი; გარდა ამისა, მისი ნედლეულის (ნახშირბადი) აღება პირდაპირ ჰაერიდან შეიძლება. ამჟამად მზის პანელის უჯრედის ღირებულების 80%-ს სწორედ კაჟის ფუძეშრის ფასი შეადგენს. თუ მოხერხდა გრაფენის მასობრივი წარმოება, ეს ნიშნავს, რომ მოსალოდნელია მკვეთრი გაიაფება ელექტრონიკისა და მზის ენერგეტიკის სფეროში.
Комментариев нет:
Отправить комментарий